您的位置: DOIT首页 » 资讯中心 » 正文

三星量产新型NAND闪存芯片 速度快10倍

 11年05月13日 09:20【转载】作者:天虹  责任编辑:尤佳

导读:5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。

关键词: NAND闪存 芯片 三星

5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。

三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR 2.0接口,允许这种芯片最多以每秒400MB的带宽传送数据。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍。这种新的NAND闪存芯片是采用20纳米级加工技术制造的。

三星称,它预计这种新的芯片将用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑和固态硬盘。

公司简介 | 媒体优势 | 广告服务 | 客户寄语 | DOIT历程 | 诚聘英才 | 联系我们 | 会员注册

Copyright © 2003-2012 DOIT.com.cn, All Rights Reserved

DOIT传媒 版权所有京公网安备: 110105001105
京ICP证030972号电信业务审批 [2009]字第572号
link