韩政府批准三星在华建立NAND闪存芯片工厂

1月4日消息，据韩联社报道，韩国知识经济部4日表示，已批准三星电子在华设立10纳米级闪存(NAND Flash)工厂的申请。三星电子因此可以开始选址，将于今年上半年开始建厂，目标在明年下半年投产。

有韩国分析师估计，三星电子此举可能会投资40亿美元。

韩国政府要求，为防止国家核心技术非法泄漏，三星电子将制定和执行技术保护对策，并定期对保护情况进行评估。还要求三星制定补充对策，减少此次对中国投资可能给国内经济带来的负面影响。三星电子则承诺继续扩大在韩国国内的半导体投资。