日前,本报记者获悉,三星电子近期加快了产品技术研发步伐,先是在行业首次研发出了30纳米级(1纳米为10亿分之一米)4Gb(gigabit)LPDDR3(LowPowerDouble Data Rate 3)移动DRAM技术,接着是开发出基于20纳米级(一纳米为10亿分之一米)64GbNAND Flash平台的64GB(gigabyte)高性能内存存储卡(eMMC:embedded Multi Media Card),产品更新换代速度在行业中首屈一指, 这意味着三星电子在抢占移动终端市场方面将进一步有所突破。
开发新一代LPDDR3移动DRAM技术
关于新一代LPDDR3移动DRAM技术,三星电子表示,这是继去年12月在电子行业首次开发30纳米级4GbLPDDR2移动DRAM之后，不到九个月又成功开发出使用30纳米级工艺的4GbLPDDR3移动DRAM技术的新一代产品。据悉,三星电子计划将从今年第四季度开始，为移动终端生产企业提供新一代LPDDR3移动DRAM样品，并从明年开始,将新产品用于智能手机和平板电脑等各种高性能移动终端器上。
根据记者的了解,4GbLPDDR3的启动速度比现有的4GbLPDDR2(800Mbps)快1.5倍, 数据传输量最高能够提高到12.8GB/每秒。业内人士分析,随着数据传送速度的加快, 高性能移动终端器的最高存储容量也从2段积层4Gb LPDDR2的1GB(8Gb)扩大到4段积层4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，市场上大容量存储器产品比重随之有望快速增加。
三星电子存储事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“继今年3月在电子行业首次对30纳米级4GbLPDDR2移动DRAM投入量产之后，这次新开发出的新一代LPDDR3移动DRAM给客户提供了行业最高水平的绿色存储器”，洪完勋副社长同时表示,“为了能够让我们的企业客户及时推出高性能新产品，今后，三星电子将切实加强技术合作，持续扩大新一代移动存储器市场”。
根据市场调查机构的报告资料，预计从2013年开始,LPDDR3移动DRAM市场趋于白热化。出乎意料的是,三星电子从2012年开始提前一年就对4GbLPDDR3产品投入量产，从而将促使PremiumMobile DRAM市场以更快的速度成长发展。
