DOIT 2011年5月4日 美国加州圣克拉拉——英特尔公司今天宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来， 3-D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极(Tri-Gate)的革命性3-D晶体管设计(英特尔曾在2002年首次披露)，并将批量投产研发代号Ivy Bridge的22纳米英特尔芯片。1纳米是1米的十亿分之一。
这款3-D三栅极晶体管代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。几十年来，2-D晶体管不仅一直在计算机、手机、消费电子产品中得到了广泛应用，还用于汽车、航空、家用电器、医疗设备以及数千种日用设备的电子控制中。
英特尔公司总裁兼首席执行官欧德宁(Paul Otellini)表示：“英特尔的科学家和工程师通过采用3-D结构，再一次实现了晶体管的革命。随着我们把摩尔定律推进到新的领域，3-D结构将帮助我们打造令人惊叹且能改变世界的设备。”
科学家早就意识到3-D结构对于延续摩尔定律的重要意义，因为面对非常小的设备尺寸，物理定律成为晶体管技术进步的障碍。今天宣布的革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又一个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。
摩尔定律预测了硅技术的发展步伐：晶体管密度大约每两年便会增加一倍，同时其功能和性能将提高，而成本则会降低。40多年以来，摩尔定律已经成为半导体行业的基本商业模式。
实现前所未有的能耗节省和性能提升
英特尔的3-D三栅极晶体管使芯片能够在更低的电压下运行，并进一步减少漏电量，与之前最先进的晶体管相比，它能提供前所未有的更高性能和能效。这些能力让芯片设计师可以根据应用的需求灵活地选用低能耗或高性能晶体管。
与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%。这一惊人的改进意味着它们将是小型手持设备的理想选择，这种设备要求晶体管在运行时只用较少的电力进行“开关”操作。全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中2-D平面晶体管一样的性能。
英特尔高级院士马博(Mark Bohr)表示：“英特尔独一无二的3-D三栅极晶体管实现了前所未有的性能提升和能耗节省。这一里程碑的意义要比单纯跟上摩尔定律的步伐更为深远。低电压和低电量的好处，远远超过我们通常从一代制程升级到下一代制程时所得到的好处。它将让产品设计师能够灵活地将现有设备创新得更智能，并且有可能开发出全新的产品。我们相信这一突破将进一步扩大英特尔在半导体行业的领先优势。”
