英特尔的22nm三栅(tri gate)晶体管技术具里程碑意义，预示半导体技术将向3D过渡。
因为按照ITRS半导体工艺路线图，在2007年45nm节点时，英特尔就发布了高k/金属栅技术，可以看作是晶体管组成材料的一次革新，用高k材料来替代传统的SiO2，让定律又延伸了10年～15年。今年5月英特尔又发布3D晶体管结构，使传统的晶体管二维结构变成三维，应该是半导体工艺技术中又一次重大的革命。
业界对于英特尔将采用的技术节点也有诸多猜测。英特尔的22nm制程将基于英特尔的第三代high-k/金属栅方法，它使用铜互连、low-k技术。与32nm相同，英特尔采用193nm浸液式光刻技术。
英特尔的22nm的3D晶体管技术，性能相比40nm高40%，功耗省30%，其工艺成本仅上升2%～3%，而采用SOI工艺要上升10%。另外可实现100%的电池续航能力，预期2011上半年开始试生产。
据英特尔最新报道，22nm产品于今年投产，14nm厂房正加大投资加紧建设，不久就会接到14nm设备的订单，未来半导体技术可达7nm节点。
台积电年内28nm工艺规模量产，将于今年底正式开始生产基于28nm工艺的晶圆。台积电称，公司计划于2011年Q3某个时候开始导入28nm制造工艺的商业化生产，而到2011年Q4时，28nm晶圆带来的营收贡献比率将达到2%～3%左右。
与当初升级到40nm制造工艺时相比，台积电本次升级28nm制造工艺是无论在产能提升还是在良品率改善方面都会更为顺利，因为当初升级40nm制造工艺的时候台积电是需要设备升级的，而本次28nm制造工艺升级台积电似乎已完成了新设备的调试。
三星2010年4月开始量产27nm NAND Flash，开启全球20nm等级制程的时代，经过15个月，三星即发展到21nm产品，展示其独步全球的技术水准。
另外，东芝于今年7月底将在日本三重县八日市fab 5半导体厂中，以19nm制程量产NAND Flash，目前东芝主要量产24nm制程产品。海力士在技术竞争中也不落人后，将于2011年第四季度以20nm制程量产NAND Flash。
