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IC:22nm时代来临 450mm硅片大势所趋

 11年07月27日 10:26【转载】作者:中国电子报  责任编辑:尤佳

导读:每年七月在美国加州举行的Semicon West展览会是全球最大的半导体设备与材料展览会之一。由于展览会在七月举行,正好上半年已过,所以在会议期间许多高管会对产业的发展与前景发表看法。本文试图综合展览会与产业于上半年的进展加以概括,讨论一些业界特别关注的课题。

关键词: 半导体 英特尔 硅片 IC

另一家Mapper公司正在开发无掩膜的多束电子束光刻机。它的第一代机1.1在25nm时每小时产出1片,已发货给法国的研发机构Leti,明年将再发货给TSMC。该公司计划利用集束电子束把产能提高到每小时10片,以及最终在16nm时实现每小时100片。Mapper的优势在于它的每台设备的价格及产能,目标是每台设备为500万欧元,与EUV价格相比仅为其零头。

另一家EUV光源供应商Xtreme,它采用激光放电等离子技术。光源装置包括两个装有液态锡的轮,在10000Hz下放电产生激光脉冲(未来量产装置高达10万Hz)。光源的重量可重达8吨,为了防止锡污染,聚光镜四周装有屏蔽罩。Xtreme的Marc Corthout认为实际上光源能达到工艺要求所需的功率。

比利时的IMEC认为EUV是未来光刻的必然趋势。从全球互联网的需求出发,一定会促使逻辑或存储器客户采用它。EUV的三个关键是设备、掩膜与光刻胶,目前已被确认都是可实行的。尽管如此目前EUV的主要挑战仍是光源,预计真正采用可能是在11nm工艺导入左右。

IMEC于2011年3月导入了曝光装置单机和EUV光源,并开始在研究设施内进行了调整和整合测试。现在已与东电电子(TEL)的涂布显影装置“Lithius Pro”连接。IMEC表示:“吞吐量为ASML公司曝光工艺评测用EUV曝光装置的20倍,计划在2012年初期实现100W的光源输出功率和60张/小时的吞吐量。”在重叠精度方面,此次成果具有达到目标值4nm以下的潜在能力。分辨率在使用偶极照明时可达到20nm以下,对于IMEC的目标——2013年确立分辨率达到16nm的量产技术来说,此次成果具有里程碑的意义。

业界对于EUV的前景仍有疑虑,明年是关键。尽管如此,EUV与一年之前相比已经大有改善,可能有两台设备将进入量产前的准备阶段。

可以肯定业界采用传统的光学光刻设备是最为经济的,但也总有尽头,尤其当尺寸越来越小时,由于成本太高愿意跟踪的厂商数量会越来越少,将导致未来经济可行性差,因此有人对于在11nm时EUV才能导入提出质疑。

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